نحوه عملکرد ادوات ذخيره کننده اطلاعات ديجيتالی

نحوه عملکرد ادوات ذخيره کننده اطلاعات ديجيتالی
نحوه عملکرد ادوات ذخيره کننده اطلاعات ديجيتالی
90,000 ریال 
تخفیف 15 تا 30 درصدی برای همکاران، کافی نت ها و مشتریان ویژه _____________________________  
وضعيت موجودي: موجود است
تعداد:  
افزودن به ليست مقايسه | افزودن به محصولات مورد علاقه

تعداد صفحات : 136 صفحه _ فرمت word_ دانلود مطالب بلافاصله پس از پرداخت آنلاین _ تصاویر مطلب مورد نظر موجود نیست.

فهرست مطالب
عنوان
چکيده
مقدمه
فصل اول ) نانوتکنولوژي :
1-1-    آغاز نانوتکنولوژي
1-2-    نانوتکنولوژي از ديدگاه جامعه شناختي
1-3-    نانوتکنولوژي و ميکرو الکترونيک
1-4-    فنآوري نانو و فيزيک الکترونيک
فصل دوم ) الکترونيک مغناطيسي
2-1- پيش گفتار
2-2- انتقال وابسته به اسپين
2-3- اصول اوليه
2-4- ثبت مغناطيسي
2-5- حافظه‌هاي غير فرار
2-6- کاربردهاي آتي
فصل سوم ) مقاومت مغناطيسي و الکترونيک اسپيني
3-1- پيش گفتار
3-2- مقدمه
3-3- مقاومت مغناطيسي عظيم (GMR)
3-4- معکوس مغناطيسي سازي با تزريق اسپيني
3-5- مقاومت مغناطيسي تونل زني (TMR)
فصل چهارم ) حافظه دسترسي اتفاقي (RAM):
4-1- مباني اصول اوليه
4-2- مرور کلي
4-3- پيشرفت‌هاي اخير
4-4- جداره حافظه
4-5- حافظه دسترسي اتفاقي Shodow
4-6- بسته بندي DRAM
فصل پنجم ) حافظه با دسترسي اتفاقي مغناطيسي (MRAM):
5-1- مشخصات کلي
5-2- مقايسه با ساير سيستم‌ها
5-2: الف) چگالي اطلاعات
5-2: ب) مصرف برق
5-2: ج) سرعت
5-3- کليات
5-4- تاريخ ساخت حافظه‌ها
5-5- کاربردها
فصل ششم ) حافظه فقط خواندني (ROM):
6-1- تاريخچه
6-2- کاربرد ROM براي ذخيره سازي برنامه
6-3- حافظه ROM براي ذخيره سازي داده‌ها
6-4- ساير تکنولوژي‌ها
6-5- مثال‌هاي تاريخي
6-6- سرعت حافظه‌هاي ROM
6-6: الف) سرعت خواندن
6-6: ب) سرعت نوشتن
6-7- استقامت و حفظ اطلاعات
6-8- تصاوير ROM
فصل هفتم ) ضبط کردن مغناطيسي :
7-1- تاريخچه و سابقه ضبط کردن مغناطيسي
فصل هشتم ) مواد براي واسطه‌هاي ضبط مغناطيسي :
8-1- اکسيد فريک گاما
8-2- دي اکسد کروم
8-3 اکسيد فزيک گاما تعديل شده به واسطه سطح کبالت
فصل نهم ) ديسک‌هاي مغناطيسي :
9-1- سازماندهي ديسک‌ها
9-2- برآورد ظرفيت‌ها و فضاي مورد نياز
9-3- تنگناي ديسک
9-4- فري مغناطيس
فصل دهم ) نوار‌هاي مغناطيسي :
10-1- کاربرد نوار مغناطيسي
10-2- مقايسه ديسک و نوار مغناطيسي
فصل يازدهم) فلاپي ديسک :
11-1- مباني فلاپي درايو
11-2- اجزاي يک فلاپي ديسک درايو
11-2: الف ) ديسک
11-2: ب) درايو
11-3 نوشتن اطلاعات بر روي يک فلاپي ديسک
فصل دوازدهم )‌هارد ديسک چگونه کار مي‌کند :
12-1- اساس‌هارد ديسک
12-2- نوار کاست در برابر‌هارد ديسک
12-3- ظرفيت و توان اجرايي
12-4- ذخيره اطلاعات
فصل سيزدهم ) فرآيند ضبط کردن و کاربردهاي ضبط مغناطيسي :
13-1 هدف‌هاي ضبط
13-2- کارآيي هد نوشتن
13-3- فرآيند هد نوشتن
13-4- فرآيند خواندن
نتيجه گيري و پيشنهادات
پيوست الف )
منابع و مآخذ
 
چکيده :
در سال‌هاي اخير بعد از کشف TMR , GMR در چند لايه‌هاي مغناطيسي علاقه شديدي به گسترش اين موضوع در بين محققين به وجود آمد.
در اين اثر علاوه بر درجه آزادي از اسپين آن نيز استفاده شده است. با پيشرفت اين تحقيقات ، کاربرد وسيع آن در ادوات ذخيره کننده اطلاعات ديجيتالي مشخص شد. اين پديده‌هاي اسپيني به سرعت به اجراء در آمده‌اند، مخصوصاً از بعد از سال 1988 پس از مشاهده نخستين GMR.
کلمات کليدي در اين پروژه ، حافظه‌هاي غير فرار ، مقاومت مغناطيسي عظيم و مقاومت مغناطيسي تونل زني ، ROM , MRAM , PAM ، ديسک‌هاي مغناطيسي و Shodow RAM و. .. مي‌باشد.
 
مقدمه :

در این پروژه به بررسی انواع حافظه‌ها چگونگی عملکرد دیسک‌ها و نیز نحوه ی ضبط اطلاعات بر روی آنها و به طور کل ضبط روی مواد مغناطیسی می‌پردازیم. هنگامی که اطلاعات بر روی یک به اصطلاح واسطه ذخیره یا ضبط می‌گردند (در اشکال متفاوت ضبط مغناطیسی) در می‌یابیم همواره چه در زمان گذشته و چه در زمان حال این فن آوری بوده است که بر صنعت تسلط داشته است. ذرات مغناطیسی با لایه‌های نازک دارای کورسیوتیه چند صد. ... هستند و به آسانی قادر به حفظ یک الگوی مغناطیسی از اطلاعات ثبت شده ( در چگالی ده‌ها هزار بیتی ) برای صد‌ها سال بوده و با این حال هنگامی که مطلوب باشد الگو با نوشتن اطلاعات جدید بر روی قدیم به سادگی قابل تغییر می‌باشد. از آنجایی که فرآیند ضبط مستلزم یک تغییر در جهت استپین‌های الکترون است فرآیند به طور نا محدود معکوس پذیر است و اطلاعات جدید ممکن است فورا بدون هیچ فرآیندی توسعه لازم را داشته باشد. این مقاله با توسعه خواص مغناطیسی مواد ضبط می‌پردازد که از 1975 رخ داده اند. قدیمی ترین مواد ضبط مغناطیسی عبارت بودند از سیم‌های فولاد زنگ نزن 12 نیکل و 12 کروم که طوری آبکاری آنیلینگ شده بودند که ذرات تک حوزه از فاز مزیتی در یک شبکه آستنیت رسوب می‌کردند. پسماند زدایی تا Oe300-200 به این طریق به آسانی به دست می‌آید. در شکل عملی فایده سیم‌ها را می‌توان محدود کرد. سیم‌ها طوری تابیده می‌شوند که نواحی از سیم که در حین ضبط کردن با هد در ارتباط است. لزوما در عمل خواندن نواحی نیست که به هد مماس می‌شود ثانیا سیم‌ها به آسانی می‌شکستند و فقط توسط گره زدن می‌شد آنها را ترمیم کرد. به همین دلایل سیم‌ها در دهه‌های 1940 و 1950 با نوار‌های وصله جایگزین شدند که با ذرات دارای ترکیب مصنوعی 7-Fe2O3 تک حوزه – (تک کاربرد) بودند. دیسک‌های مغناطیسی این ذرات را استفاده کردند تا اینکه دهه 1990 فرا رسید. مکانیزم معکوس سازی مغناطیسی کردن در ذرات تک حوزه سوزنی شکل ( با طول نوعا 30 و قطر Mm060) که عبارتند از دوران غیر منسجم اسپین‌ها مورد قبول واقع نشد. در یک دسته بندی کلی حافظه‌هایی که در سیستم‌های الکترونیکی – استفاده می‌شوند به دو نوع حافظه‌های مغناطیسی (مثل فلاپی دیسک‌ها و دیسک‌های سخت ) و نیمه‌هادی تقسیم می‌شوند. حافظه‌های نیمه‌هادی که بر خلاف حافظه‌های مغناطیسی فاقد اجزای متحرک و مکانیکی هستند از آرایه‌هایی از سلول‌های حافظه تشکیل شده اند که این آرایه‌ها بسته به نوع حافظه از تعدادی عنصر الکترونیکی مثل ترانزیستور و خازن تشکیل شده اند. این نوع حافظه‌ها به سه دسته کلی به نام RAM ROM و Hybrid که ترکیبی از دو نوع اول می‌باشند تشکیل شده اند. RAM‌ها به دو نوع SRAM DRAM تقسیم می‌شوند که از لحاظ الکترونیکی تفاوت آن‌ها در اجزای سازنده ی آن‌ها است. ROM‌ها بر اساس روش نوشتن اطلاعات جدید و تعداد باز نویسی تقسیم بندی می‌شوند. اطلاعات موجود در ROM‌ها غیر فرار بوده و در غیاب تغذیه حفظ می‌شوند. و معمولا برای نگهداری کد نرم افزارها در سیستم‌های میکروپروسسوری استفاده می‌شوند. با پیشرفت تکنولوژی حافظه‌ها در سال‌های اخیر مرز بین RAM ROM محو شده است. بدین صورت که حافظه‌هایی ساخته شده اند که از یک سو اطلاعات موجود در آن‌ها در غیاب تغذیه حفظ می‌شود و از سویی دیگر بوسیله ی سیگنال‌های الکتریکی قابل بازنویسی هستند. بنابراین از این حافظه‌ها به نام ترکیبی یا Hybri یاد می‌شود حافظه‌های ترکیبی به سه نوع NVRAMEEPROMFlash تقسیم می‌شوند که دوتای اولی از نسل ROM‌ها هستند و NVRAM نوع تغییر یافته ای از RAM‌هاست. 1-1- آغاز نانوتکنولوژی نانو تکنولوژی از یک رشته علمی خاص مشتقل نمی شود. با وجودی که نانو تکنولوژی بیشترین وجه مشترک را با علم مواد دارد خواص اتم و ملکول شالوده بسیاری از علوم است و در نتیجه دانشمندان حوزه‌های علمی به آن جذب می‌شوند. برآورد می‌شود در سراسر جهان حدود 00020 نفر در نانو تکنولوژی کار می‌کنند. تحقیقات در مقیاس بسیار ریز در رشته‌های الکترونیک نوروبیو تکنولوژی به ترتیب نانو الکترونیک نانو اپتیکس و نانو بیوتکنولوژی نیز نامیده می‌شود. پیشوند نانو از کلمه یونانی به معنای کوتوله مشتقل می‌شود. براساس برآورد شرکت لاکس ریسرچ در نیویورک بودجه کل تحقیق و توسعه نانو تکنولوژی دولت‌ها و شرکت‌ها در سراسر جهان در سال 2004 بیش از 68 میلیارد دلار بود. نیمی از این بودجه از جانب دولت‌ها تامین می‌شود. اما به پیش بینی لاکس ریسرچ در سال‌های آینده شرکت‌ها احتمالا بودجه بیشتری از دولت‌ها صرف این علم خواهند کرد. با این حال کیفیت برخی محصولات موجود با کاربرد نانو تکنولوژی بهبود یافته است و در چند سال آینده بر تعداد آنها افزوده خواهد شد. مثلا با افزودن ذرات ریز نقره بانداژ ضد سوختگی خاصیت ضد میکروبی پیدا کرده است. با اتصال ملکول‌های ایجاد کننده مانع به فیبر پنبه پارچه‌هایی تولید شده است که ضد لکه و بو است. راکت‌های تنیس با افزودن ذرات ریز تقویت شده است. در دراز مدت نانو تکنولوژی به نوآوری‌های بزرگتری خواهد انجامید از جمله انواع جدید حافظه کامپویتر فناوری پزشکی و روش‌های تولید انرژی بهتر مانند سلول‌های خورشیدی. 1-2- نانو تکنولوژی از دیدگاه جامعه شناختی امروزه واژه تکنولوژی برای توضیح جامع تمامی فعالیت‌های انجام شده در سطح اتمی و مولکولی که کاربردی در دنیای حقیقی داشته باشند به کار می‌رود. از آنجا که نانو تکنولوژی همواره در حال دگرگونی زندگی بشر است و نانو تکنولوژی جایی است که تکنولوژی امروز ما به آن سمت حرکت می‌کند بنابراین علم و تکنولوژی امروز ما در مقیاس نانو در بر گیرنده تحقیق و توسعه در نوک پیکان گستره وسیعی از رشته‌ها است. اصطلاح نانو تکنولوژی در هر جایی که دانشمندان تکنو لوژیست ما با عناصر سازنده مواد اتمها و مولکولها سر و کله می‌زنند به کار می‌رود. در واقع علوم و تکنولوژی در مقیاس نانو مرزهای شیمی علم مواد پزشکی و سخت افزارهای کامپیوتر تحقیقاتی که ادامه انقلاب تکنولوچی را ممکن می‌سازد در نور دیده است.

منابع ومآخذ
1.    M.Baibich et al.,Phys. Rev. Left. 61,2472(1988).
2.    Wall Street Journal , 10 November 1997,p.B8.
3.    M.Dax , Semi cond. Int. 20 (no.10) , 84 (1977).
4.    R.J.Soulen Jr. et al. , Science 282,85(1998).
5.    C.Tang et al , LEEE Trans. Magn. 30,3801 (1994).
6.    R.E. Scheuerlein , paper presented at the I EEE lnternational Conference on Nonvolatile memorg Technologg , Albuquerque , NM,22 to 24 June (1998).
7.    M. Julliere , Phys. Lett. Lett. A 54,225 (1975).
8.    J. Modera , L. Kinder , T.Wong and R.Meserrey , Phys. Rev , Left. 74,3273 (1995).
9.    Z.W.Dong et al., Appl. Phys. Left. 71 , 1718(1997).
10.    .D.J. Monsma , J.C.Lodder , T.J.A.Popma and B.Dieny , Phys. Rev. Left. 74 , 5260 (1995).
11.    J.Nitta , T.Akazaki , H.Takayanagi and T.Enoki , ibid. 78 , 1335 (1997)
12.    M.Baibich , J.M.Broto , A.Fert , F.N.Guyen Van Dau , F. Pettroff , P.Etienne , G.Greuzet and A.Friederich , Phy. Rev. Left 61 (1988) 2472.
13.    P.Grunberg.R.Schreiber , Y.Pang , M.B.Brodsky and H.Sowers , Phys. Rev. Left. 57 , 2442 (1986).
14.    R.Schad , C.D.Potter , P.Belien , G.Verbanck , V.V Moshchalkov and Y.Bruynseraede , Appl. Phys. Left 64 , 6500 (1994).
15.    A.Barthelerny , A.Fert. and F.Petroff , Hand book of magnetic materials , vol. 12, Elsvier , Amster, Amsterdom, (1999) , pp.1-96
16.    .D.H.Mosca,F.Petroff , A.Fert , P.A.Schroeder , W.P.Pratt , R.Loloee and J.Magn. Magn.Mater. 94,L1(1991).
17.    J.Barnas , A.Fass , R.E.Camley , P.Granberg and W.Zinn , Phys. Rev.B 42, 8110 (1990).
18.    B.Dieny , V.S.Speriosu , S.S.P.Parkin , B.A. Gurney , D.R.Wilhoit and D.Mauri , Phys.Rev. B 43,1297 (1991).
19.    P.A.Schroeder,J.Bass , P.Holody , S.F.Lee,R. Loloee , W.P.Partt Jr.,Q. Yang , Magnetic Ultrathin Films , Multerials Research Society Symposium Proceedings , Vol.313,MRS , Pittsburg , PA,(1993), p.74
20.    A.Fert , L.Piraux and. J.Magn.Magn. Mat 200, 338 (1999). (Special issue).
21.    M.A.M. Gijs , M.T.Johnson , A.Reinders , P.E.Huisman , R.J.M van de Veer donk , S.K.J Lenczow ski and R.M.J. Gansewinkel , Appl. Phys. Left. 66,1839(1995).
22.    C.Vouille , A.Bar the lemy , A.Fert , P.A. Schroeder , S.H.Hsu , A.Reilly and R.Loloee , Phys. Rev , B60 , 6710 (1999)
23.    J.Slonczewski , J. Magn. Magn. Mater. 159 , 1(1996).
24.    J.Grollier , V.Cros , A.Hamzic , J.M. George , H. Jaffres , A.Fert , G.Faini , J.Ben Youssef and H.Legall , Appl. Phys. Left. 78 , 3663 (2001).
25.    A.Katine et al , Phys. Rev. Left. 84,3149 (2000) , F.J. Ablert , J.A. Katine , R.A. Burhman and D.C. Ralph , Appl. Phys. Left 77,3809 (2000).
26.    A.Fert , A.Barthe lemy , J.Ben Youssef , J-P.Contour , V.Cros , J.M. De Teresa , A.Hamzix , J.M.George , G.Faini , J.Grollier , H. Jaffres , H. Le Gall , F. Montaigne , F. Paillouz and F. Petroff , Master. sci. Eng. B 84 (2001) 1-9.
27.    T.Valet. and A.Fert , Phys. Rev. B 48,7099 (1993).
28.    J.Moodera , L.R.Kinder , R.M. Wong and R. Meservey , Phys. Rev. Left. 74 , 3273 (1995).
29.    J. Nassar. M.ltehn , A.Voures , F.Petroff and A.Fert , Appl. Phys. Left. 73,698(1998).
30.    R. Julliere, Phys. Left. A54 , 225 (1975)
31.    J. Nassar , M.Viret , M.Drouet , J.P. Contour , C.Fermon and A.Fert , Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 494 , 231(1998).
32.    D.C.Worledge. and T.H.Geballe,Appl.Phys. Left. 76,900(2000).
33.    R.Meservey. and P.M.Tedrow , Phys. Rep. 238, 173 (1994).
34.    D.Nguyen – Mahn , E.Y.Tsymbal , D.G.Pettifor , C.Arcangeli , R.Tank , O.K. Andersen and A. Pasturel , Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 492,319(1998).
35.    I.I.Oleinik , E.Y.Tsymbal and D.G.Pettifor , Phys. Rev. B 62, 3952 (2000).
36.    I.I.Oleinik , E.Y.Tsymbal and D.G.Pettifor , Phys. Rev.B 65 , 020401R (2001)
37.    انواع جديد در واقع (و يا از لحاظ فني)، دسترسي اتفاقي نيستند ، چون اطلاعات آنها به ترتيب خوانده مي‌شود ولي اکنون نام مرسوم شده است.
38.    ابداع شده است Hitting the Memory Wall اين اصطلاح در
39.    Shadow حافظه دسترسي اتفاقي (HTML).Retrived on 2007 -70-24.
40.    http:// www.thic.org/pdf/Ju103/nist.skaka.030722.pdf
41.    Samsung (2007-01-03). SAMSUNG Samples First 50- nanometer 16Gb NAND Flash for Solid State Disk and Other High-density Applications. Press release. Retrived on 2007-01-03.
42.    SBIR Phase I:Zero – Remanence Tamper – Responsive Cryptokey Memory.
43.    NEC Corporation (2006-02-07). Toshiba and NEC Develop World,s Fastest , Highest Density MRAM. Press release. Retrieved on 2006- 07-10
44.    Freescale Semi conductor (2006-07-10). Freescale Leads Industry in Commercializing MRAM Technologg.Press release. Retrieved on 2006-07-10.
45.    صفحه 6 کتابچه راهنماي طراحي و کاربرد حافظه‌هاي نوري ، 1993 شرکت توشيبا
46.    فصول مربوط به مدارهاي ديجيتالي ترکيبي و مدارهاي ديجيتالي ترتيبي در ميلمن و گرابل سازنده ميکرو الکترونيک‌ها.
http://www.irannano.org
http://www.HowstaffWorks.com
http://en.wikipedia.ogr/wiki/RAM
http://en.wikipedia.ogr/wiki/MRAM
http://en.wikipedia.org/wiki/ROM

نظري براي اين محصول ثبت نشده است.


نوشتن نظر خودتان

براي نوشتن نظر وارد شويد.

محصولات
نظر سنجي
نظرتون در مورد ویکی پروژه چیه؟
  •   مراحل ثبت نام خیلی زیاده!
  •   مطلب درخواستیم رو نداشت!
  •   ایمیل نداشتم که ثبت نام کنم!
  •   مطلبی که میخواستم گرون بود!
نظرنتيجه