بررسی چگونگی يون گيری واكنشی

بررسی چگونگی يون گيری واكنشی
بررسی چگونگی يون گيری واكنشی
95,000 ریال 
تخفیف 15 تا 30 درصدی برای همکاران، کافی نت ها و مشتریان ویژه _____________________________  
وضعيت موجودي: موجود است
تعداد:  
افزودن به ليست مقايسه | افزودن به محصولات مورد علاقه

تعداد صفحات : 98 صفحه _ فرمت WORD _ دانلود مطالب بلافاصله پس از پرداخت آنلاين

مقدمه :
يون گيري واكنشي- PECVD- Ashing- پراكنده كردن مايعات- شيمي پلاسمايي- فيزيك پلاسما- عكس العمل سطوح نسبت به يكديگر
سخنران: Herbert H.Sawin
پروفسور مهندسي شيمي و مهندسي برق و علوم كامپيوتر از مؤسسه علم و صنعت ماساچوست (MIT)، شهر كمبريج، MA

پيشنهادهاي فهرست شدة سمينار:    July 8-12,2002كمبريج، ماساچوست
•    ارزيابي هاي سمينار
•    معرفي سمينار
•    طرح كلي سمينار
•    شرح حال و تحقيقات جاري هرب ساوين
•    زمينه ها و خصوصيات خواسته شده از ثبت نام كنندگان
•    روند كار و نوع سمينار
•    اطلاعات براي ذخيره جا در هتل
•    اطلاعات ثبت نام
•    آموزش در سايت
•    يادداشتهاي نمونه سمينار
•    مقالات اخير ساوين
•    تماس ها براي سوالات
•    ثبت نام در وب سايت
•    اطلاعات ناحية بوستون
•    سوابق آقاي ساوين
 
1-معرفي
•    فيزيك پلاسما
•    فرآيند ريزالكترونيك
2-سيفتيك گازي (Gas Kinetics)
•    مدل سيفتيك گازي
•    مدل توزيع ماكسول- بولتزمن
•    مدل گازي ساده شده
•    محتواي انرژي
•    نرخ برخورد بين مولكولها
•    مسير آزاد
•    سياليت عددي ذرات گاز روي يك سطح
•    فشار گازي
•    خواص انتقال
•    جريان گاز
•    وضعيت سيال
•    رسانايي رساناها
•    احتمال برخورد
•    پراكندگي گاز- گار
•    پراكندگي ذره از يك آرايش ثابت
•    انتشار ارتجاعي
•    برخورد غير ارتجاعي
•    نمونه هاي فرآيندهاي برخورد غير ارتجاعي
•    عكس العمل هاي فاز- گازي
3-فيزيك پلاسما
•    توزيع انرژي الكتروني
•    سينتيك همگوني پلاسما
•    مدل توزيع (مارجينوا)
•    مدل توزيع (دروي وشتاين)
•    انتقال ذره باردار شده و باردار شدن فضايي
•    سينتيك گاز رقيق شده
•    شكافت انتشار دو قطبي
•    تجمع غلاف
•    سينتيك سادة غلاف
•    حفاظت يا پوشش «ديباي»
•    تجمع غلاف و آزمايش بوهم (Bohm)
•    آزمايش غلاف بوهم
•    خصوصيات ميلة آزمايش
•    شكست و نگهداري، تخلية rf
•    تقريب ميدان مشابه
•    تقريب ميدان غيرمشابه
•    مدل سازي ئيدروديناميك خودساختة تخلية rf
•    اندازه گيري تخريب rf
•    مدل توازن الكترونيكي
•    مقايسة تخريب rf اندازه گيري شده و محاسبه شده
•    ارائه مدل به سبك مونت كارلوي تخلية rf
•    خود با يا سنيگ rf (تجمع خودبخودي rf)
•    سيستم همگن (متقارن)
•    توزيع ولتاژ در سيستم rf
•    توزيع ولتاژ در پلاسماي خازني rf متقارن و غير متقارن
•    مدار معادل تخلية rf
•    تنظيم الكترودها
•    سينتيك بمباران يوني
•    تخلية اپتيكي
•    لم اندازه گيري حركت
•    ريزنگاري تخلية اپتيكي
•    فرآيند برخورد الكترون
•    برخورد الكتروني اكسيژن در پلاسما

4-تخليه هاي مدار مستقيم (DC)
•    اميژن ثانويه الكترون در بمباران يوني
•    بمباران خنثي اميژن ثانويه
•    عمل فتواميژن الكترونهاي ثانوي
•    ناحية كاتدي
•    يونيزاسيون در غلاف
•    توزيع انرژي يونها
•    الكترونهاي اشعه اي (الكترونهاي سريع)
•    ناحية آند
•    مدل سازي پلاسمايي DC
5-تخليه هاي Rf
•    فيزيك پلاسماي rf خازني
•    فيزيك تخليه RF كه بصورت القايي فردوج شده اند.
•    فيزيك تخليه رزونانس الكترون- سيلكوترون
•    فيزيك تخلية هليكون

پيكره بندي و سخت افزار رآكتور
•    همگن كردن شبكه ها و تنظيم كننده ها
•    شبكه هاي الكترونيكي همسان ساده شده
•    تنظيم كننده هاي موج كوتاه
•    رآكتورهاي لوله اي
•    رآكتورهاي صفحه موازي (ديودي)
•    رآكتورهاي صفحه موازي نامتقارن
•    گيرندگان يون واكنشي
•    گيرندگان واكنشي يون كه بطور مغناطيسي افزايش يا رشد يافته اند.
•    گيرندگان اشعه يون واكنشي
•    باياسينگ جريان مستقيم در گيرندگان نمادين
•    گيرندگان ديودي ارتجاعي
•    رآكتورهاي تريودي
•    باياسينگ Rf
•    محدود كردن مغناطيسي چند قطبي
•    منابع پلاسماي غير قابل دسترسي
•    ECR توزيع شده
•    منابع در حال جريان نزولي
•    ماگنترولها
•    مونتاژ كردن لايه لايه اي
•    تبريد برگشتي هليوم
•    محكم كاري الكترواستاتيك
•    جستجوي نقطة نهايي
•    تجزيه و تحليل تخلية اپتيكي
•    ثبت حركات تداخلي
•    ثبت ليزري امواج يا حركات تداخلي
•    مونيتورينگ يا مشاهده امپدانسي
•    فاز گازي
•    توليد اتم اكسيژن
•    بارگزاري رآكتورها
•    واكنشهاي سطحي
•    شيمي لايه هايي كه خود بخود واكنش دارند.
•    ارتقاء پلميري
•    سينتيك مواد نشتي يا رطوبت ده
•    الكترون گيري شيميايي فزاينده يوني
•    اتمهايي كه با گرفتن يون ارتقاء پيدا مي كنند مثل Cl و Cl+
•    پراكندگي و جايگزي حاصل الكترون گيري مثل 
•    مدلهاي سينتيك الكترون گيري پلي سيليكون
•    الكترونگيري پلي سيليكون مرتب شده
•    الكترون گيري اكسيد كه توسط يون زياد شده
•    الكترون گيري ضد نور كه توسط يون زياد شده
•    مقايسه مواد شيميايي ارتقاء يافته با يون و بستهاي الكترون گيري خود بخود شيميايي.
طيف نگاري تخليه اپتيكي
•    توده نگاري ميكروسكوپي
•    ميلة آزمايش لانگ مير
•    فلورسنت القايي با ليزر
•    تحليل امپدانس پلاسمايي
•    ثبت تداخل با لايه هاي كاملاً چسبيده
8-الكترون گيري جلوه ها
•    ده مبارزه برتر الكترون گيري
•    مكانيزمهاي گسترش مقطعي
•    جهت دار شدن بمباران يوني از پلاسما
•    پراكندگي يوني در جوله هاي خاص
•    تغيير سطوح در جلوه هاي ويژه
•    الكترون دهي و الكترون گيري با پراكندگي
•    اتم گيري با القاء يوني
•    اتم گيري خودبخود
•    جابجايي نمونه ها و فعال ها از پلاسما
•    جابجايي مجدد بوسيلة خط ديد توليدات
•    شكست
•    جاذبة بالقوة تصوير با ديواره هاي هدايت پذير (رسانا)
•    نسبت منظري الكترون گيري وابسته
•    تجمع نامتقارن در الكترون گيري پلي سيليكوني و فلزات
9-مدل سازي سه بعدي از عوارض زمين و عوارض جغرافيايي
•    مدل سازي سطحي ساده شده
•    خصوصيات شبيه ساز مونت كارلو
•    مصرف جذب شدن در سطوح عمل متقابل به هم در سطوح
•    پراكندگي يكنواخت و غيريكنوخت
•    انتشار فيزيكي و الكترون گيري با يون فزاينده
•    پراكندگي از قسمت سطح منبع
•    ارتقاء كيفيت سطحي
•    مقايسة نتايج آزمايشي و مدل سازي
•    تجمع شكافتهاي ميكروسكوپي به وسيلة پراكندگي يونها
•    پراكندگي يوني
•    جهت دار شدن يوني
•    زاوية ماسك
•    تركيب مجدد سطحي
•    جابجايي   از پلاسما
•    تأثير تغيير مكان بر وضع ظاهري
•    خشن كردن سطوح در حين اتم گيري
10-تخريب پلاسما
•    آلودگي
•    خصوصيات منحصر به فرد
•    تخريب دروازه با اكسيد شدن- ذرات پوز
•    تخريب دروازه با اكسيد شدن- فشار الكتريكي
•    تخريب چهارچوبها و قابها
•    خوردگي بعد از اتم گيري
11-فرآيندهاي اتم گيري
•    الكترون گيري و الكترون دهي اعضا
•    پلي سيليكون
•    الكترون گيري دروازه اي
•    الكترون گيري اكسيدي
•    الكترون گيري نيتريدي
•    الكترون گيري دي الكتريك با K پائين
•    الكترون گيري آلومينيوم
•    الكترون گيري مس
12-جابجايي
•    انتشار
•    جرقه ها، قوس هاي الكتريكي، بي ثباتي ها
•    جابجايي انتشار باياس
•    تنظيم با خط صحيح ديد
•    منابع رطوبت ده با غلظت بالا
•    تركيب و آلياژ
•    جابجايي انتشاري عكس العملي
•    مقدمه چيني براي هدف
•    جابجايي بخار متصاعد شيميايي پلاسما
•    وسايل و تجهيزات مربوط به VD
•    تميز كردن اطاقك واكنش
•    عمليات آزمايشي PECVD و ماهيت
•    نيتريد سيليكون
•    دي اكسيد سيليكون
•    آكسي فلوريد يدهاي سيليكون
•    اكسيدهاي سيليكون و كربن
•    لايه هاي پرفلور و كربن
13-پردازش كار با پلاسما در سطو بزرگ
•    جداي يك منبع با فاصله از يك لايه زيرين
•    استفاده از منابع پلاسماي با فاصله و آرايش يافته
•    مقياس گذاري منابع پلاسما
•    منابع پلاسماي خطي
•    منابع جاري پلاسما
14-رآكتورهاي لايه لاية ستوني ماكروويو كه در فشارهاي بالا عمل مي كنند
•    وسايل عمل آزمايشي
•    آزمايشات
•    مشخص كردن خصوصيات فرآورده هاي بعدي
•    مكانيزم پيش بيني شده براي كاهش 
•    استفاده از واحد كاهنده در تأسيسات ساختن (توليد) مدار جامع (IC)
•    كاهش PFCهاي ديگر
•    جمع بندي
•    كاهش پيودهاي اندوكسيوني با پلاسما
•    سابقه
•    خلاصة نتايج
•    نمرة تحقيقات و نتايج
•    محاسبات سينيك شيميايي
•    رآكتورهاي كاهنده تجارتي
•    رآكتورهاي كاهنده تجارتي موج سطحي
15-فرآيند پلاسماي غير ميكروالكترونيك
•    استرليزه كردن با پلاسما
•    صفحة مدار چاپي از نوع دوتايي كه با چسب به هم متصل مي شوند
•    مراحل پردازش ميكرومكانيكي
•    الكترون گيري عميق چندگانه اي زماني
•    الكترون گيري Si در سيستم STS
•    نسبت الكترون گيري
•    نسبت منظري پيامد الكترون گيري RIE وابسته
•    نسبت الكترون گيري ضد نور
•    متحدالشكل بودن
•    عوامل تقويت كننده
16-ضميمه
17-مرجع ها

 

مراجع
1.J.C Arnold and H.H Sawin, J.Apple. Phys. 70, 5314 (1991)
2.G.S H Wang and K.P. Gipis, J. Vac. Sci. Technol. B15, 70(1996)
3.T.Kinoshita, M. Hane and J.P. Mcvittie, J.Vac.sci. Technol.B14, 560(1996)
4.S.M. Sze, physics of Semiconducte Devises, wiley & Sons, N.Y(1981)
5.D.A. Baglee, Pro,22nd IEEE Rel. Phys. Symp.152(1984)
6.Y.L. Shen, S.Suresh, and I.A.Bleeh, J.apple.phys.80,1388(1996)
7.T.Nozawa, T.Kinoshita, T.Nishizuka, A.Narai,,.T. Inooue, and A. Nakaue, Japn.J.Apple. Phys.34, 2107
8.E.A Ogryzlo, D.E. Ibbotson, D.L. Flamm and L.A.Mucha, J.Appl. Phys.67.3115(1990)
9.F.Hiule J chem. Phys.79, 4237(1983).
10.K.K.Chi, H.S. Shin, W.J. Yoo, C.O.Jung Y.B. Koh and M.Y. Lee, Jpn, J.A.Appl. Phys. 35, 2440(1996)
11.T.Mara Yama, N.Fajiwara,S.Ogino and M.Y. Yoned, JPn. J.Apple. Phys.36.2526(1997)
12.S.Tabara, Jpn. J.Appl.Phys.35, 2456(1996).

نظري براي اين محصول ثبت نشده است.


نوشتن نظر خودتان

براي نوشتن نظر وارد شويد.

محصولات
نظر سنجي
نظرتون در مورد ویکی پروژه چیه؟
  •   مراحل ثبت نام خیلی زیاده!
  •   مطلب درخواستیم رو نداشت!
  •   ایمیل نداشتم که ثبت نام کنم!
  •   مطلبی که میخواستم گرون بود!
نظرنتيجه